프라그 마틱 슬롯
SIC-MOSFET 1200V-N 시리즈 TO-247-4 프라그 마틱 슬롯

신제 제품 기능

  1. 전력 소비 및 전력 시스템의 소형화에 기여하는 4 개의 터미널 프라그 마틱 슬롯 채택까지
    • 높은 오작동 저항*4및 공로의 수치 (fom = 1450mΩ ・ nc)*5| 드라이버 소스 터미널이 장착 된 4 개의 터미널 TO-247-4 프라그 마틱 슬롯의 이전 모델을 특징으로하는 SIC-MOSFET 칩이 장착되어 있습니다.
    • 4- 터미널 프라그 마틱 슬롯는 소스 터미널의 기생 인덕턴스를 줄이며, 이는 이전에 고속 스위칭 중에 도전이되었으므로 게이트 전압의 감소를 억제합니다. 기존 제품*3
    • 스위칭 손실 및 높은 캐리어 주파수를 줄임으로써 소형 및 단순화 열 소산 장비*6원자로와 같은 주변 성분의 소형화 구동 전력 소비 및 전체 시스템의 소형화에 기여합니다
    • *4

      오작동 계산 (자체 회전) CISS/CRSS (입력 용량/피드백 용량) (회사에 따르면)

    • *5

      FOM (공로의 그림) : 전력 MOSFET의 성능 표시기. 숫자가 작을수록 전력 손실이 낮아지고 성능이 향상됩니다. TJ = 100 ° C에서 온 저항 및 게이트 드레인 전하의 산물로 정의됩니다.

    • *6

      인버터 회로에서 스위칭 요소의 온/오프 타이밍을 결정하는 주파수

  2. 3 개의 AEC-Q101 호환 품종을 포함하여 총 6 가지 품종, 광범위한 응용 분야에 적합
    • AEC-Q101*7를 준수하는 3 가지 품종을 포함하여 총 6 가지 품종이 있습니다. 태양 광 발전기와 같은 산업 응용 프로그램뿐만 아니라 전기 자동차 응용에도 적합
    • 기존 제품*3와 비교하여, 배수 단자와 소스 터미널 사이의 크리히 지 거리*8. 먼지와 먼지가 축적 될 가능성이있는 실외 설치와 같은 소름 끼는 거리가 필요한 전원 시스템에 적합
    • *7

      Automotive Electronics Council (차량 내 전자 구성 요소의 품질 표준)

    • *8

      장치의 전도성 부분과 외부 표면 사이의 가장 작은 거리