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그림 1 : 새로운 칩 구조가 개발되었습니다 (상단 : 칩의 단면도, 하단 : 병렬 연결 다이어그램 위에서보기)

Mitsubishi Electric Co., Ltd. 5 월 31 일, 철도 차량 및 DC 전송과 같은 대규모 산업 장비를위한 3.3kv 전체 SIC 샘플을 제공하기 시작했습니다*1전원 모듈 "FMF800DC-66BEW*2in New SBD*3내부 온라인 슬롯 사이트*4| 적용되었습니다. 이는 철도 차량을위한 추진 제어 장치의 소형화, 에너지 절약 및 DC 전력 전송의 확산 촉진을 통해 탄소 중립성의 실현에 기여할 것입니다.

최근 몇 년 동안, 전력 손실을 크게 줄일 수있는 SIC 전력 반도체에 대한 기대치가 증가했으며, 2010 년에 SIC 모스 프트 및 SIC-SBD가 장착 된 SIC 전력 모듈을 상용화하기 때문에 SIC 전력 반도체를 에어컨 및 철도 차량을 포함한 다양한 인버터 시스템에 적용했습니다.

온라인 슬롯 사이트S 온라인 슬롯 사이트S 및 SIC-SBD를 통합하는 내장 된 SBD를 갖춘 온라인 슬롯 사이트S는 모두 별도의 칩 인 기존의 기술에 비해 높은 밀도로 장착 될 수있어 전력 모듈의 용량을 압축하고 늘릴 수 있으며 스위칭 손실을 늘릴 수 있으며, 철도와 같은 대형 산업용 장비 및 DC 차량과 같은 대형 산업용 장비에 퍼질 수 있습니다. 반면에 SBD가 내장 된 온라인 슬롯 사이트을 사용하는 전원 모듈은 연결된 회로에서 서지 전류가 있습니다.*5발생하면, 서지 전류는 특정 칩에만 집중되어 칩의 열 파괴를 유발하므로 서지 전류 공차가 기존의 SI 전력 모듈보다 큽니다.*6줄어들었고 실질적으로 사용하기가 어려웠습니다.

우리는 전력 모듈 내에서 병렬 연결 칩 구조에서 특정 칩에 서지 전류가 집중하는 메커니즘을 세계 최초의 제품입니다.*7우리는 모든 칩이 한 번에 활력을주기 시작하고 서지 전류가 각 칩 전체에 분포되는 새로운 칩 구조를 개발했습니다. 이로 인해 기존 기술에 비해 서지 전류 공차가 5 회 이상 향상되었으며 기존의 SI 전력 모듈의 서지 전류 공차를 달성하여 SBD가 전원 모듈에 내장 된 온라인 슬롯 사이트를 적용 할 수 있습니다.

이 개발 결과에 대한 자세한 내용은 5 월 28 일부터 6 월 1 일까지 홍콩에서 개최 된 "ISPSD*82023 "5 월 31 일 오후 2시에 발표됩니다.



  • *1

    실리콘 카바이드 : 실리콘 카바이드

  • *2

    2023 년 5 월 8 일 발표https : //www.mitsubishielectric.co.jp/news/2023/pdf/0508.pdf

  • *3

    Schottky Barrier 다이오드 : 반도체 및 금속의 접점에서 Schottky Barriers를 사용하는 다이오드

  • *4

    금속 산화물 반도체 필드 효과 트랜지스터 : 금속 산화물 반도체로 만든 전계 효과 트랜지스터

  • *5

    전류가 회로에서 전력 모듈로의 전류 흐름을 초과하는 갑작스런 작동

  • *6

    서지 전류가 발생할 때 전원 모듈이 견딜 수있는 전류 제한

  • *7

    2023 년 6 월 1 일 현재, 회사가 연구 한

  • *8

    전력 반도체 장치 및 ICS 국제 심포지엄 : 국제 전력 반도체